@article { author = {Khalid Khaleel Mohamed, Dr.}, title = {The Effect of Grain Boundary on the electrical and photoelectrical characteristics of Au/p-Si Schottky Diode}, journal = {Al-Rafidain Engineering Journal (AREJ)}, volume = {18}, number = {3}, pages = {10-18}, year = {2010}, publisher = {College of Engineering, University of Mosul, IRAQ}, issn = {1813-0526}, eissn = {2220-1270}, doi = {10.33899/rengj.2010.28455}, abstract = {Abstract This paper is intended to study the influence of the grain boundaries on the electronic and optoelectronic behavior of Au/P-Si Schottky diode. These diodes were fabricated by evaporation of gold layers onto polycrystalline silicon wafers using vacuum evaporation technique. The current-voltage characteristics at different grains boundary and temperatures, spectral response were investigated. It is found that the Schottky barrier height for Au/P-Si diode obtained form I-V and spectral response characteristics are depends mainly on the surface grain boundary density and state density. Keyword: Grain Boundary, Au/p-Si, Schottky Diode.}, keywords = {Keyword,Schottky Diode}, title_ar = { تأثير كثافة حدود الحبيبات على الخواص الكهربائية والضوئية لثنائى شوتكى نوع Au/p-Si}, abstract_ar = {ملخص البحثيهدف هذا البحث إلى دراسة تأثير طبيعة حجم حدود الحبيبات المكونة لسطح P-Si على الخواص الالكترونية والضوئية للثنائي شوتكيAu/Si-P. حيث تم تصنيع هذه الثنائيات عن طريق ترسيب طبقة من الذهب على سطح السليكون نوع P باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تمت دراسة خواص فولتية تيار عند مختلف درجات الحرارة إضافة إلى دراسة الاستجابة الطيفية للثنائيات المصنعة. ووجد بأن ارتفاع حاجز شوتكي للثنائي Au/Si-P يعتمد بشكل كبير على كثافة الحبيبات وحجمها فى السطح.}, keywords_ar = {}, url = {https://rengj.mosuljournals.com/article_28455.html}, eprint = {https://rengj.mosuljournals.com/article_28455_fe7c142e1bf1f45fb6f6ca04f0fd0044.pdf} }